NANDFLASH编程实现研究分析

liyf 发表于 2018-4-24 22:07:05

NAND FLASH编程实现研究分析
陆林燕,王鲁静,郑正奇
(华东师范大学电子系,上海200062)
摘　要:以阐明编程支持NAND FLASH 的方法为目的。总览了NAND FLASH 层次结构;讨论了NAND FLASH 的写操作
过程,这种写操作的特点也是FLASH 有别于其它存储介质的地方,同时也对NAND FLASH 的擦除操作做了介绍;在对整
体的框架和特点有了了解之后,进一步对编程支持NAND FLASH 的过程中会遇到的一些概念和细节给出了具体的说明。
对NAND FLASH 的编程支持有一定的复杂性,但只要了解了它的工作方式,也并非难事。
关键词:NAND FLASH;写操作;地址转换;ECC 校验
中图分类号: TP311 　　　　　　文献标识码:A 　　　　　　　文章编号: 1673 - 629X(2008) 03 - 0118 - 03

cmwl 发表于 2018-4-24 22:10:10

顶叶大的肺！

Youth 发表于 2018-4-24 22:14:17

顶叶大的肺！

lzqblt 发表于 2018-4-24 22:23:32

厉害了大师

iopjklbnm 发表于 2018-4-25 11:23:04

厉害了大师

madmike 发表于 2018-4-25 21:57:42

厉害了大师

madmike 发表于 2018-4-25 21:58:27

同献，见谅啊

maithon 发表于 2018-4-30 21:42:13

本帖最后由 maithon 于 2018-4-30 21:43 编辑

好文章，NAND flash用编程器读写都有坑，上次读写NAND flash，修复CF卡，没成功。

boy1125 发表于 2018-5-1 08:50:34

看看，能修复这个不容易

qwq008qwq 发表于 2018-7-1 21:46:11

:):):):):)

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