本帖最后由 oldhan 于 2015-4-25 07:29 编辑 
liyf 發表於 2015-4-25 07:03
其實驅動VDD的373也是用取巧的方法,用二極管鉗位電壓實現的,這樣Io輸出其實差不多有5.7V,壓差還不到開 ...
眼残漏看 D6 二极体..
0.3V 是不到全导通的地步, 会微微导通.
VDD switch details 的那二极体如果改在 VDD_X 就没这问题,
就怕 IC 有短路问题高压会由 ZIF_X流回 PNP C, B, 1K2, VDD_X,
但是有 1K2 挡着也不会有事吧? 所以 ZIF_X pin 脚上的那二极体用意为何? 
				
			
		oldhan 发表于 2015-4-25 07:21
眼残漏看 D6 二极体..
0.3V 是不到全导通的地步, 会微微导通.
VDD switch details 的那二极体如果改在...
其实不饱和状态还是有优势的,可以达到快速饱和开启的状态,提高开启速度,和用高低压驱动差不多原理,也是走险招吧。
vdd驱动的二极管是起保护作用的,当vpp开启状态时,避免高压回流烧坏p管。
p管基极的电阻起限流作用,避免373的驱动电路过大,把它烧了,74的可没有cmos的耐烧				
			
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