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标题: 如何处理高di/dt负载瞬态（下） [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-11 09:06
标题: 如何处理高di/dt负载瞬态（下）
在《如何处理高di/dt负载瞬态（上）》中，我们讨论了电流快速变化时一些负载的电容旁路要求。我们发现必须让低等效串联电感（ESL）电容器靠近负载，因为不到0.5 nH便可产生不可接受的电压剧增。实际上，要达到这种低电感，要求在处理器封装中放置多个旁路电容器和多个互连针脚。本文中，我们将讨论达到电源输出实际di/dt要求所需的旁路电容大小。

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