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标题: 意法半导体宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-11 12:58
标题: 意法半导体宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破
功率半导体产品的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。

      33A的STP42N65M5是意法半导体的首款MDmesh V产品，采用TO-220封装，导通电阻0.079Ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列产品还提供其它的封装选择，包括D2PAK贴装以及TO-220FP、I2PAK和TO-247。目前正在量产的STx16N65M5系列也是650V产品，额定RDS(ON) 为0.299 Ω，额定电流为12A。意法半导体的MDmesh V 650V MOSFET技术蓝图还包括电流更大的产品，采用Max247封装的产品RDS(ON)低至0.022Ω，TO-247封装低至0.038Ω。这些产品计划在2009年3月上市。

   “MDmesh V产品在RDS(ON)上的改进将会大幅度降低PFC电路和电源的电能损耗，从而能够实现能耗更低、尺寸更小的新一代电子产品，”意法半导体功率MOSFET产品部市场总监Maurizio Giudice表示，“这项新技术将帮助产品设计工程师解决新出现的挑战，例如，新节能设计法规的能效目标，同时再生能源市场也是此项技术的受益者，因为它可以节省在电源控制模块消耗的宝贵电能。”

      作为意法半导体在成功的多漏网格技术上的最新进步，通过改进晶体管的漏极结构，降低漏--源电压降，MDmesh V在单位面积导通电阻RDS(ON) 上表现异常出色。此项优点可降低这款产品的通态损耗，同时还能使栅电荷量(Qg)保持很低，在高速开关时实现优异的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的灵敏值（FOM）。新产品650V的击穿电压高于竞争品牌的600V产品的击穿电压，为设计工程师提供宝贵的安全裕量。意法半导体的MDmesh V MOSFET的另一项优点是，关断波形更加平滑，栅极控制更加容易，并且由于EMI降低，滤波设计更加简单。

      MDmesh V MOSFET的节能优势和高功率密度将会给终端用户产品的节能带来实质性提升，例如：笔记本电脑的电源适配器、液晶显示器、电视机、荧光灯镇流器、电信设备、太阳能电池转换器以及其它的需要高压功率因数校正或开关功率转换的应用设备。

关于意法半导体（ST）

意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合（IP），以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片（SoC）技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，意法半导体的产品扮演了一个重要的角色。2008年，公司净收入98.4亿美元，公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。详情请访问意法半导体公司网站 www.st.com 或意法半导体中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn

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