UltraCMOS Global 1对于整个无线生态系统是有利的:平台提供商和原始设备制造商(OEM)可以建立一个单一的平台设计来面向全球市场,从而加快产品上市时间;消费者可以得 到更长的电池寿命、更好的接收效果、更快的数据传输速率和更广阔的漫游范围;最后,使用更高性能的射频前端可以扩大覆盖范围并减少掉线,无线运营商可以降 低其在网络上的资本投入。
UltraCMOS Global 1采用业界首个LTE CMOS功率放大器,它的性能与领先的砷化镓功率放大器相同。在相邻信道泄漏比(ACLR)为-38dBc的情况下,使用WCDMA(语音)波 形,UltraCMOS Global 1功放的PAE(功率附加效率)性能接近50%。这个性能与领先的GaAs功放的性能处于同一个水平,超过其他CMOS功放十个百分点,这表示效率提高了 33%(图2)。此外,对于LTE波形,在不同资源块分配的情况下,UltraCMOS Global 1功放的PAE性能与GaAs功放相当。达到这个水平性能,并不需要增强包络跟踪,也不需要数字预失真,而CMOS功放与砷化镓功放在进行性能对比测试 时,往往要加强包络跟踪,并使用数字预失真。