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标题: 微波暗室性能的低频三维电磁分析 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-11 20:30
标题: 微波暗室性能的低频三维电磁分析
众所周知，微波暗室与室外场相比在进行天线测量时具有安全、无辐射干扰及不受天气因素影响的优点。典型的微波暗室包括内表面覆盖有吸波材料的屏蔽体，源天线及被测体（DUT）和可通过旋转以获得被测体（DUT）天线方向图的转台系统。屏蔽壳体尺寸大小主要是取决于最低工作频率，当暗室工作在VHF和UHF 频段时其所需尺寸显著增大，因而增加了暗室结构和所需吸波材料的费用，暗室的最低工作频率到VHF和UHF频段时同室外场相比其优点就丧失了。在这种情况下人们关注的是暗室结构实际上真正的需求，而选择了通过减小暗室尺寸降低造价和增加暗室尺寸以保证最起码的性能水平的一个折衷，为了保证天线测量精度的最小水平，DUT测试区中照射波质量和暗室内各处反射都需达标，这就特别需要暗室供应商能够精确分析暗室性能，使设计的暗室性价比最高。长期以来暗室的工程分析一直是采用射线跟踪法，但在最低工作频率时暗室尺寸仅几个波长，因而精度很差，造成精度差的因素有以下几点：
● 镜像区的反射足以影响DUT测试区的品质，而镜像区的特性尺寸有几个波长，其表面覆盖的吸波材料在VHF和UHF频段时它的尺寸甚至超过暗室侧墙、顶棚和地面的特性尺寸。
● 有效镜区面积较大，在使用射线跟踪法时难以确定镜像的准确入射角。
● 在低频时难以精确地预判或预测墙面吸波材料在偏离垂直投射时的反射系数。
● 难以精确测量吸波材料的反射系数的相位。因而仅能计算DUT测试区场的有效值（RMS）及和的平方根值（RSS），如此只能提供近似值。
● 在VHF和UHF频段，许多情况都是基于吸波材料在2GHz以上斜入射时反射系数的递减曲线来近似的，这种外推法对许多暗室就相当不精确。
最有效的常用的对射线跟踪法的改进是口径积分法，即从侧墙反射进入测试区的反射场是用整个口径的基尔霍夫（Kirchhoff）积分计算（包括侧墙、顶棚或地面），测试区内场是反射场与源天线辐射场的叠加。虽然这种方法比较好的适用于暗室的分析，但所得到的精度仍受到限制，这是由于所用的吸波材料垂直和斜投射时反射系数的信息(两个交叉极化的幅度和相位)的限制。如前所述，对UHF和VHF频段就更成问题了。此外，无论口径积分法还是射线跟踪法对此频段的暗室内多重反射都是无法计算，但这又是很重要的。
一不精确的暗室分析的后果
由于缺乏对暗室性能的精度预估可能导致暗室的设计不是最佳。然而是不是最佳性能也不总是能判断出来的，例如在测试区内场探测也可能表示不出场变化和起伏的全貌，那是由于在低频时室内表面反射和直射造成的干涉图的波动周期较长的缘故。为了保证适当的暗室性能，暗室场强探测应在尽可能的整个频带内进行，在测试区内整个频带上的场强锯齿形起伏变化应加以标注，多次匹配调整收发极化时在整个频带内记录下来的信号起伏小就说明了暗室的性能比较好。
二三维电磁仿真
前述的分析技术对低频来说是有限制性，显然需要严格地进行综合分析，比较合适的分析就是下述的三维电磁仿真法。
不久前尚无用于解决此类问题的暗室三维定量分析的标准软件包，但近来随着PC计算机技术的进步，有了用时域法技术的三维电磁分析的计算仿真软件包，使此种分析变成可能。
ORBIT/FR公司用商用变换解算软件包完美的完成了低频暗室的性能仿真。采用三维时域技术计算仿真的低频暗室性能典型的仿真结果如下所述。
主要的分析是对室内感兴趣地点的场均匀性进行分析，譬如DUT测试区及随后决定的暗室内的幅度锥削及纹波、相位变化和导致的交叉极化电平。这些量都是与如下参数有关：
● 吸波材料的布局与品质。
● 源天线／DUT的间距。
● 工作频率。
● 源天线波束宽度。
● DUT转台情况。
● DUT支撑结构形状和材料情况。
通过这些分析就能提供出关于源天线与DUT的距离和位置、吸波材料的布局情况的信息，以致于能够做到达到所需性能的暗室最小尺寸。
三暗室的模型法
对于暗室模拟最有效的方法就是建立各种不同类型吸波材料的标准数据库，如角锥材料、楔型材料、复合材料（如角锥背面复合铁氧体瓦）、吸波地板材料等。每种类型材料都有不同尺寸，如角锥材料有从5厘米高到2.4米的高度，对UHF和VHF频段有更高的高度，典型的有0.9～2.4米。把材料的负载特性输入并储存在数据库内，这是基于整个频段材料特性ε′（f）、ε″（f）、μ′（f）、μ″（f）的测量而来的。材料的精确特性是用于模拟的最重要的参数之一。

图1 a 暗室设计的等距线观察图

b 吸波材料在地板上的布局
图1中给出一个典型暗室设计案例，吸波材料的布局包括不同类型不同级别的材料，暗室尺寸：H=6m、W=6m、L=10m，工作频率低至150MHz。地面包括安置在对角线上“镜像区”的龟背突起，在地面远端可用低档次角锥和楔状材料。转台系统是用玻璃钢纤维塔支撑DUT，走道材料也表示在布局中，当然对它们都要进行模拟。
四吸波材料的布局和等级品质的最佳选择
此处讨论了吸波材料的布局和等级品质对测试区性能的效应，假设暗室布局与前述类似，测试区性能和比较是在两种情况下进行的。即接收端墙（暗室主墙）和“龟背突起”部分分别布设0.9米或1.2米高角锥吸波材料，测试区的场强以等值线形式在测试区中心切面表示的，仔细观察明显看出场强b状况比a状况更均匀，也就是说用1.2米高角锥更优越。也可以看出侧墙的反射（相应H面入射）比地面或顶棚反射（相应E面入射）要大，故产生在测试区的场分布形成椭圆型。

图2 以测试区中心点归算的测试区的场轨迹.

a 用0.9米角锥吸波材料
b 用1.2米角锥吸波材料
五源天线与DUT距离对测试区性能的效应
对VHF和UHF频段来说，源天线和DUT之间的间距是一个重要的参数，它能强烈影响测试区的性能。众所周知，对微波频率（＞2GHz）大入射角，譬如 65度，吸波材料的吸波性能也相当好。但对VHF和UHF频段在较大的入射角时吸波性能大大恶化。图3所示是收发天线不同间距时的暗室测试区场强等值线。

a 间距3米

b 间距6米

图3 以源天线与DUT间距为参数测试区场轨迹图

3米间距对侧墙、地板和天花板的入射角近似27度。
6米间距对侧墙、地板和天花板的入射角近似45度。
可以明显看出间距会导致不期望不要求的测试区横截面的场扰动，在测试区中心很小的地方电波场结构表现不稳定，这可导致频率速变，结果就是在测试区难以控制场的均匀性。
六源天线波束宽度对测试区性能的效应
在设计暗室时另一个重要参数就是源天线的波束宽度。如前所述，暗室内H面的反射本征上就比E面大，能够减少源天线波束宽度来改进本来就不太大的反射。然而如果太大减少波束宽度会导致幅度锥削变大和减小测试区尺寸，对VHF和UHF频段来说减少波束宽度也不太容易，因为这需要增加源天线的尺寸，这对暗室是不实际的。源天线的最佳选择比暗室结构更重要，因而说电磁仿真是一很重要的工具。

图4 对数周期振子源天线H面方向图
a 单对数周期阵子天线 3dB BW=106°
b 双对数周期振子天线 3dB BW=73°
图4中表明了仿真实例，单对数周期振子天线和间距为半波长、双对数周期振子天线源天线所形成的测试区场等值线图和它们的差别。观察图5的等值线图可以看出双对数周期天线阵产生比较均匀的场，显示出场接近圆对称的轨迹线。

a 单队数周期振子天线，3dB BW=106°

b 双对数周期振子天线，3dB BW=73°

图5 用不同源天线获得的测试区的场轨迹图

七转台等设备对测试区性能的效应

图6 计入转台、走道和玻璃钢纤维塔后的测试区场强图

在任何暗室内转台和走道吸波材料对操作人员接近DUT都是必须的，结果就是由于它们相当近接近测试区，就会引起不需要的和不可控制的测试区场扰动，尤其是在低频段它们在测试区内的效应通常难以或无法估算。电磁三维计算仿真就是能够事先计入和估算它们对测试区影响的工具。图6就表示出转台和支撑DUT的玻璃钢纤维塔是如何影响测试区性能的。明显的是场可能丧失最重要的对称性和造成场的峰值（或测试区的中心）向上移动甚至于到DUT位置之上。当然在转台系统上装上吸波材料可以减小这些效应。
八结论
对于低频段VHF和UHF的三维电磁分析系统是用时域软件完成的，引入以前所用过分析方法的足够多的优点就是能获得相当准确的测试区的特性。就能做出比较好的性价比和设计高性能的暗室。可以被评价的性能因素有：
● 在布置上各种特性各种级别的吸波材料后对测试区性能能够全波段进行分析。
● 限定最佳的源天线与DUT的间距，它们是频率的函数。
● 源天线的最佳选择。
● 分析DUT设备系统所产生的效应以及吸波地板对测试区的影响。

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