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标题: 恒忆PCM的特征及性能 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-12 22:46
标题: 恒忆PCM的特征及性能
恒忆PCM集结了NOR、NAND和RAM的最佳特性，简化了存储器产品，而且单个芯片具备更多性能。下面表格归纳了这些特征。

可变位性

与RAM 或EEPROM一样，PCM具有可变位特性。闪存技术在变更信息时需要单独擦除步骤。而存储在具有可变位特性存储器中的信息能够从1到0或从0到1进行转换，而不需要单独擦除步骤。

非易失性

与NOR闪存和NAND闪存一样，PCM具有非易失性。 RAM需要连续的供电电源，例如备用电池系统，来保存信息。恒忆在多兆位PCM阵列上所进行的长期数据保存方面的早期测试结果表现很好。

读取快速

与RAM和NOR闪存一样，此技术具有快速随机存取时间的特性。该特性使得存储器可以直接进行代码执行，无需临时复制到RAM。 PCM的读取等待时间可以与single bit per cell NOR闪存相媲美，并且读取带宽与DRAM不相上下。

写入/擦除快速

PCM能够实现在更短的等待时间内，比NAND更快的写入速率。与无单独擦除步骤（即可变位特性）相结合，这些特性实现了比NOR和NAND更快速的写入性能。

尺寸缩变性

尺寸缩变性是PCM与众不同的第五个特征 NOR和NAND均采用浮动栅存储结构，其尺寸难以缩小变化。当闪存中存储圆晶减少时，存储在浮动栅上的电子数量也随之减少。据估计，45纳米的NAND闪存在“1”和“0”之间进行描述时使用的电子不到100个。 45纳米以下，电子数量将持续出现较高的位错误率和较低的可靠性。因为PCM不存储电荷（电子），所以并不存在电荷存储多少的问题。事实上是更小的光刻尺寸改善了PCM技术！

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