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标题: FSI在硅化物形成中的金属剥离技术取得突破 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-13 08:02
标题: FSI在硅化物形成中的金属剥离技术取得突破
FSI 国际有限公司已成功地采用FSI ViPR™技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA? Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中已经采用了FSI ViPR™技术，并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。

更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。但是温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于FSI ViPR™的工艺没有这一限制，使得低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。

ZETA? 系统使用离心喷雾和多功能化学品传送技术，在一个成分和温度可控的情况下准备化学制品，以直接扩散到晶圆表面上。ZETA? 系统已在很宽范围的应用中得到了验证，包括用于硅化物形成的钴和镍蚀刻、光刻胶剥离和灰后后清洗、非超声波法的粒子去除和晶圆回收。

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