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标题: 高速数据采集系统中的存储与传输控制逻辑设计 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-13 13:46
标题: 高速数据采集系统中的存储与传输控制逻辑设计
随着信息科学的飞速发展，数据采集和存储技术广泛应用于雷达、通信、遥测遥感等领域。在高速数据采集系统中，由ADC转换后的数据需要存储在存储器中，再进行相应的处理，保证快速准确的数据传输处理是实现高速数据采集的一个关键。由于高速ADC的转换率很高，而大容量RAM相对ADC输出速度较慢，保持高速数据存储过程的可靠性、实时性是一个比较棘手的问题。对于数据采集系统中的大容量高速度数据存储、传输，本文提出一种基于FPGA的多片RAM实现高速数据的存储和传输的方案，并应用于1GS/s数据采集系统中，实现了以低成本RAM完成高速实时数据存储系统的设计。

方案选择

      高速的数据采集速度是保证数据采集精度的标准，但往往在数据处理时并不需要以同样的速度来进行，否则对硬件的需求太高，成本也较高。这就需要有一个数据缓存单元，将数据有效地存储，再根据系统需求进行数据处理。

      通常构成高速缓存的方案有三种。第一种是FIFO(先进先出)方式。FIFO存储器就像数据管道一样,数据从管道的一头流入，从另一头流出，先进入的数据先流出。FIFO具有两套数据线而无地址线，可在其一端写操作而在另一端读操作，数据在其中顺序移动，因而能够达到很高的传输速度和效率，且由于省去了地址线而有利于PCB板布线。缺点是只能顺序读写数据，不易灵活控制，而且大容量的高速FIFO非常昂贵。

      第二种是双口RAM方式。双口RAM具有两套独立的数据、地址和控制总线，因而可从两个端口同时读写而互不干扰，并可将采样数据从一个端口写入，而由控制器从另一个端口读出。双口RAM也能达到很高的传输速度，并且具有随机存取的优点，缺点是大容量的高速双口RAM的价格很昂贵。

      第三种是高速SRAM切换方式。高速SRAM只有一套数据、地址和控制总线，可通过三态缓冲门分别接到A/D转换器和控制器上。当A/D采样时，SRAM由三态门切换到A/D转换器一侧，以使采样数据写入其中。当A/D采样结束后，SRAM再由三态门切换到控制器一侧进行读写。这种方式的优点是SRAM可随机存取，同时较大容量的高速SRAM有现成的产品可供选择。

      从降低成本上考虑，采用第三种方式实现大容量数据存储功能。结合1GS/s数据采集系统的要求，存储深度为4MB。选择ISSI公司的静态RAM，由8片IS61LV25616构成4MB测试数据的存储，系统结构如图1所示。

图1 数据存储原理框图

数据存储设计

● 数据流控制

      ADC为双通道500MS/s的转换率，8bit的垂直分辨率，转换数据的输出是每通道I、Q两个方向上差动输出，在差动时钟500MHz 的驱动下，可以实现1GS/s的实时采样率，由ADC输出的4路转换数据流输出分别为250MS/s。而IS61LV256系列RAM的速度级别为 10ns或12ns，这样数据必须经过FPGA进行缓存以后，才可以再次存入RAM。

      IS61LV25616系列RAM芯片有16位数据线，18位地址宽度，同时还包括数据读RD、写WR及片选CS等控制信号。将8片RAM并行连接到FPGA上，组成数据采集的存储单元。

      将从ADC输出AI[8...0]、AQ[8...0]、BI[8...0]、BQ[8...0]，每路信号都为LVDS输出，共32位为一组转换数据DATA[31...0]，速率为250MS/s，要将这个速度在FPGA内部降至RAM可接受的范围。选用CycloneII系列 FPGA，其内部时钟可工作在402.5MHz，支持单端和高速差动标准I/O接口，对于250MS/s的数据流完全可以接收。利用FPGA内部的D触发器作为缓冲，经过4级缓冲之后分别得到DBO[127...0]，这样数据速度降为62.5MS/s。经过缓冲后的数据已经在选用的RAM接受速度级别内，将得到128位的数据作为8片RAM的数据线，完成了数据流的控制。数据缓冲的原理如图2所示。

图2 数据缓冲设计

● 地址发生器设计

每次读写数据时，必须提供数据的存储位置，以读写信号作为时钟计数信号，顺序产生地址信号，其中NWE是RAM的写数据信号，NOE是读数据信号，二者都是低电平有效，选择AB[17...0]作为RAM组的地址信号。CNTEN是地址计数器的使能信号，由读取/写入数据的深度决定，当未完成读取/写入的数据时，CNTEN＝0，此时允许读/写操作继续执行；当读/写操作完成时，相应的地址信号将CNTEN设置为1，则停止地址计数。地址发生器的原理如图3所示。

图3 地址发生器设计

● 读写数据的设计

      在设计好采集数据的地址发生单元后，接下来就是配合时序进行读写操作。

      图4是RAM的读操作时序图，从图中可以看出，当指定待操作的地址后，设置芯片使能信号OE和片选使能信号CE有效，即可从数据线上读出相应地址内的数据。

图4 RAM的读数据时序图

对于单片RAM的操作比较简单，但是要将数据顺序写入8片RAM中，就要求对上一片RAM写操作完成后，系统能够设置下一个待操作的RAM 有效，128位数据线分别对应8片RAM的数据线，由于地址线和读写使能线公用，则需要分别设置每个RAM的片选，以区别当前操作是针对哪一个RAM。片选信号可以由译码器产生。读操作时设置相应RAM的片选有效，即可读出存储的数据，而进行写操作时，则可以设置所有的RAM片选有效，将采集到的数据同时并行的写入8片RAM中。根据这些描述，片选信号的设计如图5所示。NIOMD为操作的状态信号，说明当前的操作是读状态或是写状态，读数据情况下设置为 1，片选信号分别有效，写数据情况下设置为0，所有RAM均处于片选有效状态下，可以同时写入数据。这样的设计也是为了配合系统的需求，一般的，读取数据的速度相对于写数据来说还是要快一些的。

图5 RAM片选使能信号设计

仿真验证

将上述设计方案整合后，配合其他控制信号的设计，就完成了数据采集系统数据存储功能的设计。在QuartusII软件中对上述设计进行波形仿真，可以看到设置SET值及相应的状态控制信号，则在VDB端就可以按照CS指示的相应的RAM芯片中顺序读出预先存入的数据。按照图中所示的状态寄存器设置，读取深度设置寄存器设置为最小值SET[4...1]＝000，即只读每片RAM的首个存储数据，则地址发生器的最高值为8，从图中可以看到当地址发生器输出值增加到8时，WE跳变为高电平，RAM的读使能无效。由于AB[3]＝1，使得CNTEN=1,地址发生器的计数时钟使能无效，计数器停止计数，完成一轮数据的读取操作。读数据仿真验证结果如图6所示。

图6 读数据仿真验证

在图6中，对于当前数据线上的数据串DB=0010，0011，1010，1110，1101，0011，1001，0111，片选信号 CS低电平有效，当CS=11011111时，即选中按顺序由低位到高位计算的第6片RAM，此时对应的在VDB上读出的数据应该为DB的第6个数据值，即为1010。从波形方针图上得到验证。

结语

利用FPGA的内部资源，设计灵活的逻辑控制，完成高速大容量数据采集的存储和传输设计，本文提出的设计方案可以在选用低成本、操作简单的静态RAM组的情况下，实现实时大容量数据存储需求的一种设计方法，并在EDA软件中进行了仿真验证，成功地应用在1GS/s数据采集模块中。

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