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标题: Spansion突破闪存芯片尺寸限制，电荷捕获技术功不可没 [打印本页]

作者: admin 时间: 2015-4-27 10:47
标题: Spansion突破闪存芯片尺寸限制，电荷捕获技术功不可没
很多厂商都设计出了未来的闪存技术，但谁能够首先推出产品呢？Spansion表示，其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术，这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。

   Spansion CEO伯特兰日前向媒体表示，Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动，希望向其它制造商许可一些技术。

   伯特兰说，三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一技术的一些基础性专利，这不是一种很容易就开发出来的技术，我们开发它已经有数年时间了。

   电荷捕获技术能够被应用到NOR和NAND闪存芯片中。尽管AMD在2002年就开始生产采用电荷捕获技术的芯片，其中许多基础技术都来自以色列的Saifun。

   如果Spansion能够在电荷捕获技术方面取得成功，这会大大改进其财务状况。第三季度，Spansion销售收入为6.11亿美元，亏损了7200万美元。芯片厂商通常不愿意许可技术，尤其是来自竞争对手的技术。

   NAND专利有非常高的价值，因为消费者电子产品和手机的需求仍然在不断增长。尽管价格会有波动，但NAND闪存的产量却每年都在增长。事实上，许多制造商现在都在升级生产线，它们首先考虑的是满足NAND需求，过去，许多制造商都在新工厂中生产DRAM或其它芯片。

   一些NAND芯片厂商在努力使它们的产品打进笔记本电脑和刀片服务器中，取代硬盘。Applied Materials的CEO迈克说，NAND是一种获得极大成功的应用。

   闪存领域的大多数官员和科研人员都表示，闪存将面临摩尔定律式的危机。简而言之就是，如果在架构上没有重大突破，制造商将无法继续缩小芯片。芯片的尺寸不缩小，制造商就无法降低成本、提高产品性能。

   Objective Analysis总裁吉姆表示，当存储单元缩小到一定程度时，传统闪存就会遭遇真正的问题。在发展到45纳米或35纳米工艺时，传统闪存就会遇到极限。闪存芯片将不再能够使用相同的材料。

   45纳米工艺的闪存芯片将于未来1-2年问世。其它一些非挥发性存储技术已经遭遇了这一问题，例如MRAM目前只能缩小到65纳米工艺。

   Spansion面临的一个大问题是获得业界的认同。每家厂商在未来的存储技术方面都有自己的想法，但是目前，哪种技术能够胜出的前景还很不明朗。相互竞争的技术包括东芝的3D内存芯片、Numonyx的相变内存芯片、Grandis的STT-RAM。

   伯特兰断言，与上边列出的技术相比，电荷捕获技术有二个重要的优点。一是人们已经掌握了制造采用这种技术芯片的方法，这会降低部署这种技术的风险；其二，实验室的试验表明，电荷捕获技术芯片的尺寸能够继续缩小。

   他说，我们在实验室已经制造出了采用20纳米工艺的芯片。如果能够缩小芯片尺寸，我们的产品就是最便宜的。芯片的尺寸越小，性能就越高，制造成本也就越低。

   20纳米工艺内存芯片要到2012年或晚些时候才会上市销售。

   伯特兰表示，与采用相同工艺的其它类型内存相比，电荷捕获内存单元的尺寸也更小，这会进一步降低成本。他说，电荷捕获将未来10年的一项重要技术。

   伯特兰指出，到2016年，相变技术可能是一项重要的技术，但这还需要10年时间。一些相变技术的支持者表示，相变内存芯片可能在未来数年问世。其实，早在1970年代，相变技术内存的概念就已经被提出来了。

   与相变或3D内存相比，电荷捕获技术更容易部署。一些大公司也表达了对电荷捕获技术的兴趣，但是，是否必须向Spansion支付费用还是一个问题。

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