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标题: 射频接收芯片结构的“秘密” [打印本页]

作者: admin 时间: 2015-4-28 10:30
标题: 射频接收芯片结构的“秘密”
一般而言，在现代的射频系统中，天线接收到的信号频率很高而且具有极小的信道带宽。如果考虑直接滤出所需信道，则滤波器的Q值将非常大，而且高频电路在增益、精度和稳定性等方面的问题，在目前的技术条件下，对信号直接在高频段解调是不现实的。使用混频器将高频信号降频，在一个中频频率进行信道滤波、放大和解调可以解决高频信号处理所遇到的上述困难，但是又引入了另一个严重的问题，即镜像频率干扰：当两个信号的频率与本振(LO)信号频率差在频率轴上对称地位于本振信号的两边，或者说它们的绝对值相等但是符号相反，那么经过混频后这两个信号都将被搬移到同一个中频频率。如果其中一个是有用信号，另一个是噪声信号，那么噪声信号所在的频率就称为镜像频率，这种经过混频后的干扰现象通常被称为镜频干扰。


为了抑制镜频干扰，普遍采用的方法是利用滤波器滤除镜像频率成份。但是由于该滤波器工作在高频频段，其滤波效果取决于镜频频率与信号频率之间的距离，或者说取决于中频频率的高低。如果中频频率高，信号频率与镜像频率相距较远，那么镜像频率成份就受到较大的抑制;反之，如果中频频率较低，信号频率与镜像频率相隔不远，滤波的效果就较差。但另一方面，由于信道选择在中频频段进行，基于同样的理由，较高的中频频率对信道选择滤波器的要求也较高。所以，镜像频率抑制与信道选择形成了一对矛盾，而中频频率的选择成为平衡这对矛盾的关键。在一些要求较高的应用中，常常使用两次或三次变频来取得更好的折衷。


依靠考虑周到的中频频率选择和高品质的射频(镜像抑制) 和中频(信道选择)滤波器，一个精心设计的超外差接收机可以达到很高的灵敏度、选择性和动态范围，长久以来成为经典的传统选择。如前所述，超外差接收机在抑制镜像频率干扰、敏度和选择性上有较大优势，而且多级转换无直流漂移和信号泄漏，但是也有成本高、对IR滤波器有较高要求、需要低噪声放大器(LNA) 和混频器(Mixer)与50W的良好匹配等缺点，而且镜像频率抑制滤波器和信道选择滤波器通常不适于单片集成。


后来的零中频(Zero IF)结构，如图1所示，不需要抑制滤波器，交互调制降低，较适合单片集成。但也有直流失调、信号泄漏的缺点，而且需要高频、相噪的频率合成器，给电路设计也带来一定难度。与零中频相似，低中频(Low IF)结构也适于集成，其结构如图2所示(两图均以2.4GHz频段的IEEE802.15.4协议为例)。但需要注意的是带内镜像频率信号的抑制。通常需要70dB的镜像抑制比，但往往片上集成只能达到40dB或更少。

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相比于低中频，零中频结构不需要本振在接收和放射模式间改变频率，也就降低了频率合成器设计的难度。零中频结构也不需要镜像抑制混频器，因为零中频结构不会产生镜像频率。相比于相等带宽的中频带通滤波器的设计，零中频结构只需要更简单的低通滤波器以确定I路与Q路输出信噪比。零中频结构可以在滤波器匹配和同步检波技术上获得最佳解调效果。

不过零中频相比于低中频技术也有自身的缺点。比如需要AGC，混频器后的直流偏移(DC offset)消除电路，并且由于信号分I、Q两路，故须两个模数转换器(ADC)及一个共用的ADC来对信号进行模数转换。IQ两路与基带芯片或集成的基带电路之间需要一个IQ模拟接口，IQ结构存在一个重要设计难点就是IQ平衡问题。IQ两路间的幅值和相位失衡将产生IQ图像叠加在有用信号上，这会降低EVM性能。所以，零中频结构有时还需要额外的电路来隔离基带芯片以实现同步解调。表1给出在一种IEEE802.15.4的射频接收器在0.18mm 工艺下的两种设计方案的面积对比。

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