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标题: 富士通的MCU创新：FRAM+ARM [打印本页]

作者: liyf 时间: 2012-1-27 15:30
标题: 富士通的MCU创新：FRAM+ARM
MCU业者除藉由自行研发或取得相关授权IP外，若加上自身研发多年的内存与频率控制等节能技术加值，加上集团企业上中下游端的垂直整合优势，亦可在众多MCU市场中开辟另一个蓝海市场…
部分MCU业者，除自行研发或取得MCU相关IP授权，也强调集团下自有IC设计公司、晶圆厂与封测厂下，在MCU制造前端的技术规格加值及中/后段享有的垂直整合优势。
以富士通半导体为例，其旗下MCU产品线有强调低价高效能8位FFMC8L/8FX系列CISCMCU，主打家电、工业控制、车用电子、居家保全与PC周边；强调价格效能比的16位FFMC16LX/16FX系列CISCMCU，主攻车用电子、工业控制、变频/转换器应用、数字AV视听应用，以及打高阶应用、强调高效能的32位FFMCFR60/FR80SRISCMPU系列，以及从ARMCortex-M3取得授权的FM3系列MCU，同样主打车用电子、数字AV、高阶变频/转换器应用、数字相机与摄录像机等应用。
FRAM率先导入内嵌Flash MCU普遍出货
还处于各半导体厂商实验室进行量产研究阶段的铁电内存(FerroelectricRAM；FRAM)，Ramtron、NEC以及富士通等厂商，率先在其8bitMCU上实作整合。由于FRAM具备高速?i随机非循序读写的特性，以及近乎无限次数的100亿次读写周期，被视为既DRAM/SRAM/FLash之后，另一个高速内存明日之星，目前已有9亿颗内嵌FRAMMCU出货。
富士通以掌握自家的Flash技术，程序抹除周期可达10万次，提供20年保存期?A并提供业界最快60MHzFlash工作频率，并进而演化出DualOperationFlash技术，藉由可同时进行快速抹写与程序代码读取执行的特性，提供MCU类似内嵌E2PROM内存的效果。目前搭配富士通Flash技术的MCU出货量亦达2亿颗。
F2MC8FXMCU工作电压从2.4V"5.5V，提供32"80pin脚位版本。内建RC频率振荡器与频率监控电路，可提供120/180度相位的正弦波形频率讯号，以及在频率停止模式下仅1μA的节能设计。内建侦测外部振荡器电路，一旦失效自动转回内部RC振荡器继续工作；低电压侦测功能，当周边装置产生压降时得以紧急处置。并提供8/16位复合定时器电路，提供客户弹性化运用。内建8/10bitA/D模拟转换电路，避免PCB线路拉长的线路阻抗感应。
F2MC8FXMCU工作温度从-40℃"85或105℃，内嵌100K抹写次数、耐用度20年的DualOPFlash内存，无须外接EEPROM即可使用，同时内建UART串行端口传输接口、整合包含新LCD驱动电路、马达驱动器、I2C等周边控制功能，芯片内建侦错电路，可藉由提供USB接口连接外部侦错装置，或透过USB接口进行Flash韧体码重新刻录。
产品线众多自家专属／授权架构策略并行
在高阶应用方面，富士通2005年开发的自家专属32位FFMCFR60lite/FR60系列MPU，推进到2008年的FR80SMPU之后便不再研发新一代32bitMPU；获得ARMCortex-M3授权的富士通FM3系列MPU，设定原有的16bit/32bitMCU市场打造，以全球普遍化的ARMCortex核心，搭配KEIL、StarterKits等软硬件开发工具／中间件做开发。
富士通FM3系列MPU，提供低电压1.8"3.6V以及针对工业控制的2.7"5.5V高电压版本，并运用原先自家8FXMCU专属架构上的研发的种种技术作加值，例如内嵌DualOPFlash技术，以及附加内建多功能定时器、UART/SIO/I2C串行端口接口，12bitA/D模拟转换线路，以及外部频率失效或压降时的侦测与重新回复能力，可应用到数字影音装置、家庭电器产品(冷气、洗衣机)、防盗保全装置、PC/OA接口设备、电源网络与智能电网等应用。

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