场效应管的选择:上面提过要实现VPP BEFORE VDD功能有问题,我在线路板上用了一个IRF9014,FENG3在BBS中推荐使用2SJ377,我装好以后发现无论烧写与否VDD+5不能被完全关断,实际上P沟道的场效应管需要负电压才能导通,我测量TxD端,在不烧写时电压为0V,没有所期望的-15V电压出现,所以那个MOSFET不能被完全关断。好在我烧写的是28PIN的16F7X,此电压只要在烧写时有+3.5——+5V就行了。如果不烧写有内部振荡的MCU,这个管子不接也罢,况且P 沟道的MOSFET又少又贵。在实际使用中我做了如图3的改动:使用NPN的管子,电流大于500mA,耐压大于15V,、我选用8050,这样就没有问题了。如果怕TxD有负电压输出而击穿Q3的BE脚,可以在B极串一个二极管。改进后的电路如图四。