本月十大热门分立半导体

admin

这次谈到分立半导体，其实行业中每天使用最多的就是它们，每天关注最多的也是它们，每天搜索最多的还是他们。由于它们应用范围几乎是无处不在，渗透范围之广，且每一个电路的每一个功能都得基于分立半导体来实现。
        下面就为大家带来电子行业中本月实在是热门的不行的十款分立半导体。
         
        NO.1：1N4148  火热度：    月搜索量：2112次
        该IC是一款非常热门，在Datasheet5中每天搜索量高达2000次的高速开关二极管，运用平面制作技术，使用密封铅玻璃SOD27（DO-35）封装，可应用于高速开关。
         
        主要特点和优势：
        1、高开关速度：最大4ns
        2、重复峰值反向电压：最大100 V
        3、重复峰值正向电流：最大450mA
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=1N4148&d5PDF
         
        NO.2：CSD13202Q2    火热度：   月搜索量：2005次
        一款功率MOSFET，在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗，同时此SON 2mm x 2mm封装提供了出色的散热性能。适用于：存储、平板电脑和手持类器件、负载点同步降压转换器等等。
         
        主要特点和优势：
        1、低热阻、雪崩级
        2、无铅端子镀层
        3、小外形尺寸无引2mm × 2mm线塑料封装
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=CSD13202Q2&d5PDF
         
        NO.3：S8050   火热度：   月搜索量：1984次
        一款生活中很常见的NPN硅晶体管，外壳材料使用模压塑料制作，常温下功率耗散只有0.625W，广泛应用于各行各业的电路中。
         
        主要特点和优势：
        1、功率耗散0.625W（T环境温度= 25℃）
        2、操作和存储温度范围：-55℃+150℃              
        3、TO-92塑料封装晶体管
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=s8050&d5PDF
       
                        
        NO.4：CSD95372BQ5M  火热度：    月搜索量：1932次
        此款由TI推出的最新的NexFET™ 智能功率级，针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化，同时集成了驱动器IC和MOSFET来完善功率级开关功能，是高频应用中多相位同步降压转换器的最佳选择。
         
        主要特点和优势：
        1、60A 持续运行电流能力
        2、电流 30A 时，系统效率达到 93.4%
        3、高端短路、过流和过热保护
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=CSD95372BQ5M&d5PDF
         
        NO.5：2N3904   火热度：     月搜索量：1901次
        这款器件就不多介绍了，一款很生活中很常见的NPN小信号晶体管，是理想开关和放大器的应用的最佳选择，广泛的渗透在我们日常生活的电路及电路板中。
         
        主要特点和优势：
        1、理想的开关和放大器的应用              
        2、互补PNP类型可用                 
        3、可以在这两个通孔和表面进行贴装
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=2N3904&d5PDF
         
        NO.6：FDMQ86530L   火热度：     月搜索量：1759次
        由Fairchild前年推出的一款N 沟道MOSFET高效桥式整流器，该四通道MOSFET解决方案将二极管电桥的功率损耗降低了10倍，自推出以来得到工程师们的大力拥护，可应用于：有源电桥、中央办公司。
         
        主要特点和优势：
        1、PD 解决方案大幅提升效益
        2、符合 RoHS 标准
        3、二极管电桥的功率损耗非常低
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=FDMQ86530L&d5PDF
         
        NO.7：IRF540   火热度：    月搜索量：1553次
        一款N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，这可不是一个普通的IC。运用先进的电源MOSFET的设计，能够承受能量在雪崩击穿模式中指定级别的操作，在集成电路查询网中一度成为最最热门的器件之一，适用于：开关稳压器、开关转换器。
       
        主要特点和优势：
        1、纳秒的开关速度
        2、高输入阻抗
        3、单脉冲额定雪崩值
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=IRF540&d5PDF
         
        NO.8：V15PN50-M3   火热度：       月搜索量：1518次
       
        由分立半导体专业生产厂商Vishay去年推出的一款高电流密度MOS势垒肖特基整流器，具有超低VF =0.26 V（IF =5 A）。适用于：适用于低电压高频率DC / DC转换器、续流和极性保护应用。
         
        主要特点和优势：
        1、非常低的高度，仅为1.1mm
        2、非常适于自动贴片
        3、低正向压降、低功率损耗
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=V15PN50-M3&d5PDF
         
        NO.9：BAV99  火热度：       月搜索量：1419次
        一款比较常见的串联连接的小信号开关二极管，它的最大优势在于从导通到截止或从截止到导通的时间比大部门大机关要段很多，所以很受广大工程师们的追捧，多应用在电子设备的开关电路。
       
        主要特点和优势：
        1、开关速度非常快
        2、非常高的电导               
        3、表面装载包装非常适合于自动插入
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=BAV99&d5PDF
         
        NO.10：2SC3355  火热度：      月搜索量：1302次
        一款高频低噪声放大器NPN硅外延晶体管。专为低噪音的NPN硅外延晶体管放大器在VHF，UHF和CATV频带而设计的，同时具备广的动态范围和优秀的流动特性，可应用于：电子设备、工业控制领域等等。
         
        主要特点和优势：
        1、低噪声和高增益
        2、高功率增益
        3、10?A 输出电流时的效率高达 90%
        可替代器件：http://www.datasheet5.com/search?q=2sc3355&d5PDF
         
        以上是为大家展现的本月最炙手可热的不得了的十大分立半导体，分立半导体相对于其他的器件来说原理上是较简单的，也更容易被工程师们所掌握和熟悉，而且型号较多应用较广。
         
        在此感谢D5集成电路查询网给予的数据上的支持！时代在发展，科技在进步，电子行业同时也在蓬勃壮大，分立半导体也在不断的新陈代谢，也在以飞速的方式向更快、更高、更强的方向发展……
         
        更多关于半导体的技术资讯，欢迎访问 与非网半导体技术专区