飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率

admin

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench? MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。FDFME3N311ZT 采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小，可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) MicroFET™ 薄型封装中，集成了两个分立器件，不但能够满足紧凑型DC-DC升压设计的需求，而且相比先前的升压开关产品节省36% 的电路板空间。

FDFME3N311ZT提供30V的击穿电压，可为手机等应用驱动多达7个或8个白光LED(实际数字取决于所选择的LED和设计保护带)。白光LED通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明，一般以串联方式连接，以确保每个LED具有相同的正向电流和亮度。以每个LED的正向电压约为3-3.5V计算，使用这款升压开关将有助于逐步提高现有的电池升压输出电压(大多数情况下为单一锂电池)。

这款升压开关是飞兆半导体多元化的MOSFET产品系列的最新成员，该产品系列具有宽泛的击穿电压 (20V-1000V) 范围和先进的封装技术等特点，能够解决现时设计所面对的各种复杂的功率和空间难题。

查看飞兆半导体在Twitter发放的实时产品信息，请访问：http://twitter.com/FairchildSemi
查看产品和公司信息视频，请访问网页：http://www.fairchildsemi.com/video/index.html
听取产品信息网上音频，请访问网页：http://www.fairchildsemi.com/company/media_center/index.html
阅读飞兆半导体博客并发表评论, 请访问：http://engineeringconnections.com/blog/

查询更多信息，请联络飞兆半导体香港办事处，电话：852-2722-8338；深圳办事处，电话：0755-8246-3088；上海办事处，电话：021-3250-7688；北京办事处，电话：010-6408-8088 或访问公司网站：www.fairchildsemi.com。

飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) 是全球首屈一指提供高能效功率模拟和功率分立解决方案的领导厂商。作为功率专家 The Power Franchise?，飞兆半导体为消费、通信、工业、便携、计算机和汽车系统提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业技术。飞兆半导体是一家以应用主导及以解决方案为基础的半导体供货商，提供在线设计工具和遍布全球的设计中心，是其全面的 Global Power ResourceSM (全球功率资源) 的一部分。 详情请访问网站： www.fairchildsemi.com。