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电容的简化模型和阻抗曲线

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发表于 2012-1-17 15:05:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
为了分析方便,在实际的分析应该中经常使用由串联等效电阻ESR、串联等效电感ESL、电容组成的RLC模型。因为对电容的高频特性影响最大的则是ESR和ESL,我们通常采用下图中简化的实际模型进行分析:

上式就是电容的容抗随频率变化的表达式,如果2πfLs=1/2πfC,那么|Z|min=Rs,此时:

画出电容的容抗的曲线的图如下:

从上图,我们很清楚的看出:电容在整个频段,并非都是表现为电容的特性,而是在低频的情况(谐振频率以下),表现为电容性的器件,而当频率增加(超过谐振频率)的时候,它渐渐的表现为电感性的器件。也就是说它的阻抗随着频率的增加先减小后增大,等效阻抗的最小值发生在串联谐振频率时,这时候,电容的容抗和感抗正好抵消,表现为阻抗大小恰好等于寄生串联电阻ESR。了解了上面的曲线,应该就不难理解在实际的应该中,我们的选择电容标准是:1、尽可能低的ESR电容。2、尽可能高的电容的谐振频率值。
                          
                       
                          
                               
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