信息存储电路

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信息存储电路
由于ARM的读写速度很快，防止ARM访问片外存储单元出现“瓶颈”现象，应选用快速存储器芯片，不需要ARM插入等待状态，只要将存储器芯片的地址线、数据线与MC9328MX1的数据线、地址线相连，再辅以必要的控制信号和译码电路，就可以使ARM全速运行。在系统中，我们选用4片CY7C1049B-15 SRAM（512K X 8bits）用作信息存储器，再附加上掉电保护电路，将其构成1M字存储单元。它在系统中分配的存储地址为8000H-FFFFH单元（注：0000H-7FFFH为其它存储用），故1M字存储单元共可分成1M/32K=32个页面。其中页面寄存器利用可编程器件FPGA设计实现。信息存储器模块的电路图见图5：