STC89C52单片机的扩展RAM读写时序

liyf

    书上看到的毕竟是理论的东西，实际应用中总会碰上意外的或者说是不可预测的情况，与其在那瞎推理，还不如动手做点实际的工作。
    特权同学用的是11.0592MHz的STC89C52做测试，C代码也很简单：
　　#include
　　#define uchar unsigned char
　　#define uint unsigned int
　　uchar xdata LD _at_ 0x7fff;
　　void delay(uint cnt)
　　{
　　uint i;
　　for(i=0;i
　　}
　　void main(void)
　　{
　　uchar i;
　　delay(1000);
　　while(1)
　　{
　　LD = 0x00;
　　LD = 0xf0;
　　LD = 0x73;
　　// i = LD;
　　delay(1000);
　　LD = 0xff;
　　delay(1000);
　　}
　　}
    LD就是扩展的外部RAM变量，地址是0x7fff，也就是说P2的最高位就是CS信号。示波器测试了P0口任意一个数据的变化、CS的变化、WRRD信号的变化。大体整理了一下，波形基本如下：
　　




    另外，除了第一次LD读操作需要5个指令周期外(1.085us*5)，以后每次LD读操作都只要3个指令周期(1.085*3)。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图也可以知道CS有效时间其实是一个指令周期(1.085us)。平均3个指令周期完成一次数据传输(所谓的RAM方式读写数据)，这应该是单片机和外部通信的最快速度了。