怎样控制sdram的存取呀？

liyf

怎样控制sdram的存取呀？

  因为贪图大容量，我要把数据存放在SDRAM里面，但我不知道用什么东西来控制好，单片机的地址线只有16位，而要控制的SDRAM应该都是24位或32位，怎么做呀？用串口转换行不行?请各位大虾指点一下。另外16m～64m的SDRAM芯片有哪些型号？

1、控制SDRAM的地址不需要24位，它是行地址，列地址分开的，一般只需12位～16位。

2、一般是外接一片CPLD作SDRAM控制器。sdram的控制用hdl写的话就是状态机，sdram有7个状态转移，网上有很多例子

3、我认为可以使用多i/o的高速单片机直接控制，如C8051F020，甚至可以直接控制普通内存条。www.elpida.com上有一篇“How to use SDRAM”，介绍得比较详细。
单片机控制sdram占用大量的资源，就算你控制了sdram,你还能干什么？
外接几片373即可解决占用I/O口多的问题；平时不存取sdram的时候可以
让它工作在自刷新状态，不影响你干其他事情；占不了多少代码空间，成
本也低，只是MCU的速度得快一点。


使用经验：

为什么对SDRAM控制时要Precharge(预冲），我现在正在用FPGA写SDRAM接口，但不明白为什么读完，写完后要“预冲”？至于读之前应该是可以理解的！我希望了解在何处需要Precharge（预冲），否则不采用Brust方式会很慢的，

我看了SDRAM的资料，好像说读之前必须把“字线”置1，就当它是预冲吧，只是我看到的SDRAM的DATASHEET中，好像读完，写完后一般也预冲的，我就不太明白了，本来吧，我加一条Precharge指令是没问题的，但是预冲完后必须保持一段时间才能继续“读写”。由于其他技术的要求，我用Burst方式又不太方便

precharge好象是把SDRAM从ACTIVE状态转换到IDLE状态，具体为什么偶也不知道，不过按我的理解，如果对同一行（不同列）操作，可以直接读写不必PRECHARGE。但是如果读写完后需要对其进行刷新，则一定要对其PRECHARGE方可施加刷新指令。

根据datasheet一般每64ms需要对某行刷新（或访问）一次，所以如果SDRAM行数比较多的话最好加入刷新指令，不过我试过几百ms刷新一次（或不刷新）也没有遇到什么问题。

近来Altera公司的SDRAM控制器IP已经开放，可到他们网上获得，其中有一种为双速的看来更适合大家，它获得数据一种速度，输出数据为另一种速度，可用于如高速的A/D和低速的单片机缓冲。

李小路

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