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[待整理] 光耦的热特性

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发表于 2014-10-11 13:52:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  通过管理芯片和周围空气之间的热传递,维持光耦特性,避免失效。
  任何半导体设备的动作依靠其模型温度,这就是为什么电子参数要按照特定温度给出。为维持光耦特性,避免失效,通过管理芯片和周围空气之间的热传递限制温度。不应该超过设计规定的连接温度,即使光耦也许没有被归入“功率器件”的种类。这么做有以下两个原因:
  首先,全面增加光耦长期可靠性,因为任何固态设备的工作温度都与其长期可靠性成反比。因此应该是器件工作在最低的实际工作温度下。其次,某些参数与设备的问题紧密相连,这些随温度而变得参数包括漏电流、触发电流、CTR、骤回电压和电阻。
  进行热计算的三个主要方法是通过使用器件降额值、随温度变化功率图或温度模型。最简单的方法是使用热降额值(假定用功率/度)。然而,制造商非常保守的得到这个数字,所以这个方法不能提供最精确的结果。
  随温度变化功率图与第一种方法非常相似,但是用简单的数字代替,依照随温度变化功率图(图1)。并且,这是一个非常保守的方法,应该非常顾及可靠的设计,但是它也不能提供最精确的结果。

  进行热计算更全面的方法是使用热模型。一些光耦的热模型已经建立, 用于大多数简单精确的计算。
英文原文地址:http://www.edn.com/article/CA6492141.html
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