电子运动更快了

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游戏的规则并没有改变——那就是追求尺寸特征、电路速度和复杂性、吞吐量。电子工程师不断努力在每一个元件、电路板和系统内实现更强的性能，这显著提高了开发并执行一个有效测试策略的复杂度。

　　IBM公司的研究人员证实我们没有变得自满。在Thomas J.华盛顿研究中心，公司研究人员已经使用现有制造工艺在一个独立的分子上创建了第一个逻辑电路。

　　半导体制造者已经花费了很长时间寻找可以替代硅的新物质，硅材料很快就要达到其实际性能的上限了。一些替代者例如GaAs表现出足够的性能，但是也都有自身的局限性。然而，IBM团队在一个沉积于硅片底层的碳纳米管上创建了场效应晶体管。得到的环形电路振荡器——一个在设计的早期阶段被普遍使用的电路——对电子流动几乎没有电阻。

　　这种电阻主要由离子共振产生，当电子在晶格结构中开始耦合振动的时候，它阻碍电子的运动。沿着纳米管运动的电子不会遇到这样的电阻，这意味着通过这种方式构建的电路将会比当今任何可用的电路都快得多，按照研究人员的说法可以达到接近百亿赫兹的速度。单分子电路也可以减少电子从一个路径跳到另一个路径引起的串扰问题——这个问题正日益困扰着不断变小的硅片设计。

　　不要指望分子电路可以很快进入日常生产阶段。它展示了一个重大的突破，但仅仅只是一个“概念上的证据”，现在甚至还无法达到基于硅片设计的速度。但是这条发展道路已经十分清晰，最终结果也是可预见的。

　　这也可以作为另一个提示，那就是测试技术总是落后他们要测试的产品一步。在建立测试和检测策略的时候，设计人员和生产人员都必须变得更富有创造性。他们不能指望过去的策略还能对新的发展有所助益。

　　不过，一些测试设备公司期待可以大步跨越这些新挑战。Agilent公司Hachioji Semiconductor Test部门的市场和通信经理Alan Wadsworth表示：“因为碳纳米管FET通过弹道传输来传导电流，在此基础上构造的电路将会比我们传统的MOSFET元件引起更高的电流密度。从参数测试的角度来说，这也许要求新的稳定测试程序，也潜在地要求具有更高电流输出能力的硬件。但是，我觉得测试这样的元件完全在我们现有的知识和设备能力范围以内。”