英特尔大连厂采用65纳米工艺获美国政府批准

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2月27日消息，英特尔大连芯片厂(Fab 68)总经理科比·杰斐逊(Kirby Jefferson)近日在接受上海媒体采访时透露，大连厂采用65纳米的生产工艺已经获得美国政府批准，但最终采用90纳米还是65纳米还未确定。

　　英特尔曾于2007年3月宣布投资25亿美元巨资在大连新建它位于亚洲的第一座晶圆制造厂。在去年9月的奠基时，英特尔曾宣布大连厂将于2010年开始生产90纳米的晶圆。

　　这一既定的生产工艺可能有变。杰斐逊向媒体透露，美国政府已经批准英特尔大连厂采用65纳米生产工艺，所以英特尔也正考虑大连厂是否要采用65纳米这一更先进的工艺，但最终的情况要根据市场需求而定。目前英特尔投向市场的最先进的量产工艺是45纳米。

　　资料显示，英特尔大连厂的占地面积将达到16.3万平方米，其无尘室(clean room)面积为1.5万平方米。