静态随机存储器(static RAM),简称SRAM。在电子设备中,常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性,SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比,SRAM不需要时钟信号,即可保持数据不丢失。
1、VDMS16M32芯片介绍
VDSR16M32是一款工作电压3.3V,16Mbit,32位数据总线的立体封装SRAM模块芯片,由4个256K x 16bit的SRAM芯片堆叠而成。整个模块采用立体封装堆叠技术,它们之间的互相连接线非常短,寄生电容小。
1.1 芯片的内部功能结构和外部引脚
图1是立体封装的大容量芯片VDSR16M32中每一片SRAM的内部结构和功能框图,由MEMORY存储矩形阵列,列译码器、行译码器、数据控制和控制逻辑等部分组成。
图1 VDSR16M32中SRAM的内部功能结构框图
图2是立体封装的大容量存储芯片VDSR16M32的内部结构和功能框图,图3是VDSR16M32的外部引脚分布图,其中A【0:17】是地址输入信号引脚, #CS0、#CS1是芯片里面BLOCK1和BLOCK2的选择引脚,#OE是芯片的输出启用引脚,#WE是芯片的写入启用引脚, #LB是低16位的选择信号,#UB是高16的选择信号,I/O【0:31】是芯片的数据线,其中数据线D【0:15】为BLOCK1的数据输入输出引脚,数据线D【16:31】为BLOCK2的数据输入输出引脚,VCC为电源引脚,VSS为接地引脚。
图2 立体封装的大容量芯片VDSR16M32的功能结构框图
图3 VDSR16M32的外部引脚分配图
VDSR16M32的引脚的功能如表1所示:
管脚
名称
功能
#CS0
Chip select
Disables or enables memory die1 and 3 operation
#CS1
Chip select
Disables or enables memory die2 and 4 operation
A0-A17
Address
Row/column 18-bit addresses
#WE
Write enable
Enables write operation common to all dies
#OE
Output enable
Enables data output common to all dies
#UB
Upper byte select
Latches upper bytes addresses common to all dies
#LB
Lower byte select
Latches lower bytes addresses common to all dies
I/O1-I/O32
Data input/output
Data I/O1 to I/O16 activated from dies 1 and 2 and Data I/O16 to I/O32 activated from dies 3 and 4
Vcc/Vss
Power supply/ground
Power and ground for the input/output buffers and core logic.
NC
No connection
This pin is recommended to be left No Connection on the device.
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