意法的90纳米STM32微控制器内置独特闪存加速器

liyf

    意法半导体宣布取得两项重大技术进展，促使市场成功的STM32系列微控制器的性能和功耗获得进一步提升，这两项进展分别是：内嵌90纳米制程闪存的微控制器问世；推出业内首款针对工业标准的ARM Cortex-M3内核优化的自适应实时（ART）存储器加速器。
    意法半导体的首批采用90nm嵌入式闪存制程生产的STM32微控制器的运行速度更快，功耗更低，外设集成度更高，片上存储密度更大。90nm嵌入式闪存技术的性能已经在智能卡和汽车电子IC上得到实证。意法半导体已于2009年发布了内嵌90nm 闪存的微控制器的样片。
    由于ARM Cortex-M3的性能高于闪存技术，在运行频率较高时，处理器必须等待闪存，意法半导体独有的ART存储器加速器可平衡这一固有的性能差距。现在，在运行频率达到120MHz时，CPU无需等待闪存，提高系统的总体速度和能效。
    为了在这个频率上释放处理器的150 DMIPS的全部性能，加速器实现了指令预取队列和分支缓存，从闪存执行程序的速度达到120MHz，零等待状态。其它品牌的Cortex-M3微控制器的性能只有在120MHz频率以上才能超越，但是高频率换来高功耗和高散热量。
    现在有了这种性能，开发人员可以在微控制器上执行更多的系统功能，无需使用更加昂贵的微控制器或伴随DSP芯片。例如，在多媒体应用中，客户将能够实现音频编解码、视频处理、数据加密、数字过滤和多协议网关，剩余的资源足以处理其它任务。
    最新采用90nm制程和ART存储器加速器的多款STM32产品已通过“嵌入式微处理器测试基准协会”的CoreMark 测试。CoreMark测试结果证明，在时钟速度100MHz时，STM32的执行速度比Cortex-M竞争产品快8%。性能优势能够保持在120MHz。CoreMark分析报告证实，STM32的动态功耗仅为188μA/MHz （98μA/CoreMark）。这相当于在120MHz时消耗 22.5mA电流（从闪存执行代码，ART加速器开启，所有外设关闭）。