Open short test常用电路求解

liyf

看到有人问到这个问题，觉得比较有意思，而且那些图更有意思，转过来
下面是原文：
Open short test常用电路求解

本帖最后由 TESTSPEC于 2010-7-3119:27 编辑

本人刚毕业，工作还不到一个月，职位是系统应用工程师。现在还在培训试用期，对于很多电路感觉既熟悉又陌生，和书上学的感觉差别很大。诸多困惑，特来此求助各位大神。

下面是一些公司发的电路研讨资料，很多看不甚懂，跪求高人高解。
     求助一：1.找出下图的错误。2.我在网上看到有人说VDD/VSS端不能这样接，是什么原因？






求助二：1.what arethey?  2.what about their capability?  3.draw equivalentcircuits?  4. how to use them?



   给大概说说这两个图的功能作用和原理吧，很奇怪第一个图的输出是什么？第二个图怎么还有金线，是IC的内部吗？  file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image003.gif 这图倒是干什么的！怎么实现的open/short test ？




三：1. how tofinish O/S test 2.describe your steps 3.define your test SPEC 4.explain why youcan do this , and base on what?

这电路我很迷茫，它测试的是什么？怎么完成测试的?测试步骤到底是怎样的？

四：1. how tofinish O/S test 2.describe your steps 3.define your test SPEC 4.explain why youcan do this , and base on what?

     一样的迷茫。。。。

五：1. how tofinish O/S test 2.describe your steps 3.define your test SPEC 4.explain why youcan do this , and base on what?



  还是迷茫。。。。电压跟随器？  放在这里做什么用的? 用来测什么？测试步骤？










以上是公司给的open/shorttest 电路，  希望高人来解答，相信对大家也是有帮助的。

回答1：

俺菜鸟一只，不过觉得求助二里第一个图应该类似一个上电复位电路吧，输出应该是NMOS的漏端。尺寸为2*40/1那个P管栅接地所以一直导通，80 /3*1那个N管作电容用，上面的p管对它充电，当没达到后面反相器的翻转电平时，反相器输出1，输出级N管导通，其漏端被拉低，这时可以产生一个低电平令系统复位；当充电达到反相器翻转电平时，反相器输出1，输出级N管截止，输出1，电路进入正常工作状态。复位信号持续时间的长短与第一级p管尺寸及电容 大小(即N管尺寸有关)。不知道对不对，其它的不懂@@

回答2：

1. VDD should connect to VCC of theinternal doide and VSS to GND of the internal diode for protect the internalcircuit.
2. in Fig. 2, the P and N mos are connected like a ESD protected diode. WhenO/S testing, just make Vdd to GND. Then give a positive current for force thePMOS work.

3. The first testing the VCC in Pin1 will short to pin2 or not. Otherwise, italso test Pin3 and Pin4 will short to Pin2 or not.

4. Current leakage Testing. Voltage in OP1 will be convert to constant currentin OP2.

希望有兴趣的继续讨论。

shangdawei

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